Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ DIMM

Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ DIMM

Referencia: KIN-4GB KVR32N22S6 4
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SKU: KIN-4GB KVR32N22S6 4 Categorías: , , Marca:

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KVR32N22S6/4 de ValueRAM

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Un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM síncrona) de 512M x 64 bits (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16 bits. El SPD está programado con el estándar JEDEC de latencia DDR4-3200 con tiempos de 22-22-22 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pines utiliza contactos de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

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  • VDD = 1.2V Típico
  • VDDQ = 1.2V Típico
  • VPP = 2.5V Típico
  • VDDSPD = 2.2V a 3.6V
  • Terminación en el chip nominal y dinámica (ODT) para datos, estrobos y señales de máscara
  • Auto-refresco automático de bajo consumo (LPASR)
  • Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
  • Generación y calibración de VREFDQ en el chip
  • Rango único
  • EEPROM de detección de presencia serie I² a bordo (SPD)
  • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
  • Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
  • BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
  • Topología fly-by
  • Bus de comando y dirección terminado
  • PCB: Altura 1.23” (31.25mm)
  • Cumple con RoHS y libre de halógenos

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Especificaciones


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Memoria

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Capacidad: 4 GB

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Tipo: DDR4

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Formato: DIMM de 288 pines

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Velocidad: 3200 MHz

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Latencia: CL22

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Voltaje: 1.2 V

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Voltaje VPP: 2.5 V

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ECC: No

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Buffer: Unbuffered

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Configuración de chips: 512M x 64

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Estándar: JEDEC

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Acabado: Contactos chapados en oro

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Rendimiento

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Tiempo de ciclo de fila: 45.75 ns

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Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns

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Tiempo activo en fila: 32 ns

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Condiciones de funcionamiento

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Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 85 °C

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Temperatura de almacenamiento: -55 °C a 100 °C

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memoria

tipo de memoria